O uso de eletrônicos flexíveis vem aumentando nos últimos anos, principalmente em setores como o automobilístico, de eletroeletrônicos e dispositivos móveis. Um estudo realizado por cientistas brasileiros e italianos contribuiu para a produção de eletrônicos leves e flexíveis a partir do melhoramento das propriedades do politiofeno (PT).

 

Por possuir baixa densidade, flexibilidade e facilidade de processamento, o PT é um material atraente para esse tipo de aplicação. Marília Junqueira Caldas, professora titular no Instituto de Física da Universidade de São Paulo (IFUSP) e membro da equipe, explica que a configuração do politiofeno, se processado no modo mais comum por gotejamento e rotação (spin casting), é bastante desordenada, comprometendo seu desempenho óptico e eletrônico. No trabalho em questão, a proposta foi ordenar o poli(3-hexiltiofeno) (P3HT), tornando-o muito mais seletivo na emissão e absorção de luz.

 

Esse ordenamento foi obtido por meio da deposição de uma gota do polímero em solução sobre um suporte. À medida que evaporava, uma espécie de grade foi aplicada sobre a gota, fazendo com que passasse a apresentar uma sequência de estrias paralelas. O estriamento ordenou a estrutura interna do material que, segundo ela, passou a absorver e emitir luz de modo muito previsível, possibilitando a emissão estimulada de luz em frequências não disponíveis no filme desordenado.

 

Desse modo, um material intrinsecamente desorganizado foi organizado durante o processo de “crescimento”, tornando-se apto a um amplo conjunto de aplicações optoeletrônicas e viável para direcionar propriedades ópticas por meio do controle estrutural.

 

A nova solução demonstrou ganhos em seletividade e leveza, se comparada a outras com função similar, baseados em superposições de vários tipos de semicondutores. Além disso, o estudo abre a possibilidade do uso de nanoestruturas de politiofeno como blocos de construção de amplificadores ópticos orgânicos e dispositivos fotônicos ativos.

 

O trabalho realizado por A. Portone, L. Ganzer, F. Branchi, R. Ramos, M. J. Caldas, D. Pisignano, E. Molinari, G. Cerullo, L. Persano, D. Prezzi e T. Virgili, obteve apoio da FAPESP por meio do Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia em Eletrônica Orgânica (Ineo) – um dos Institutos Nacionais de Ciência e Tecnologia apoiados pelo fundo em parceria com o Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) –, e está disponível para leitura em https://go.nature.com/2TIlhjk

 

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